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中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通过技术鉴定_当前独家

来源:电子工程网    时间:2023-05-24 10:07:52


(资料图片仅供参考)

来源:中国电科

近日,中国电科55所牵头研发的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技术及应用”成功通过技术鉴定。鉴定委员会认为,该项目技术难度大,创新性显著,总体技术达到国际先进水平。

该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主创新的迫切需求,突破多项关键工艺技术,贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块全产业链量产平台,国内率先研制出750V/150A和6500V/25A的大电流碳化硅MOSFET器件,实现新能源汽车、光伏、智能电网等领域碳化硅MOSFET批量供货,有力保障碳化硅功率器件供应链安全,支撑产业链向高端跃升。

下一步,国基南方、55所将面向国家重大战略需求,聚焦汽车芯片等领域,继续完善产品谱系、拓展产品类型,全力提升碳化硅产能,进一步推进新能源汽车用碳化硅MOSFET芯片和功率模块关键核心技术攻关及产业化应用。

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